N115
全面掛鍍軟鎳低應力半光澤鎳製程，應用於以氨基磺酸鎳或硫酸鎳為主鹽之鍍鎳製程，
適用於端子、半導體、連接器、印刷電路板等鍍金處理前之底鍍。
富延展性，
低應力之半光澤鍍層
以下是為了能夠滿足段落所需的長度而定義的無意義內文，請自行參酌編排。
經由定時分析之數據能輕易控制操作條件以達到穩定的品質
以下是為了能夠滿足段落所需的長度而定義的無意義內文，請自行參酌編排。
可溶性陽極併用之設計
以下是為了能夠滿足段落所需的長度而定義的無意義內文，請自行參酌編排。