鍍鎳製程
N115
全面掛鍍軟鎳低應力半光澤鎳製程，應用於以氨基磺酸鎳或硫酸鎳為主鹽之鍍鎳製程，
適用於端子、半導體、連接器、印刷電路板等鍍金處理前之底鍍。
富延展性，低應力之半光澤鍍層
經由定時分析之數據能輕易控制操作條件以達到穩定的品質
可溶性陽極併用之設計
N190
軟鎳電鍍製程，本製程生產之鎳鍍層，具有低內應力與高延展度之工程性能，
對於折彎延展性標準較嚴之連接器支架與電話金線，打線融接拉力要求較高之印刷電路板及低內應力要求之電鑄工業均特別適用。
高延展度，低內應力之半光澤鎳鍍層
極佳之折彎柔軟度
良好之打線融接拉力
製程要求配合高純度化學原料，使用低含硫之電解鎳陽極
N200
低應力半光澤軟鎳製程，配合高純度之氨基磺酸鎳與氯化鎳，可產製高純度低應力之鎳鍍層，
適用於半導體與印刷電路板等需高打線拉力要求或高延展性能要求之電子產品。
鍍層純度高，應力低，延展性優良
操作管理簡易
使用可溶性陽極
具良好打線拉力
N230
低應力半光澤鍍鎳製程，為高電流密度作業下之高速電鍍需求所設計， 適用於自動線，噴流或溢流方式攪拌之電鍍設備。
鍍層純度高，應力低，延展性優良
耐腐蝕性佳
不純物忍受度佳，鍍槽管理成本低
長時間操作穩定性高
GTS
低應力半光澤鍍鎳製程，特別為連續式噴流或溢流方式之攪拌製程高電流密度高速電鍍需求所設計。